2025年存储器市场五大展望 01 AI引领高带宽存储器（HBM）持续受关注 人工智能的崛起，尤其是在机器学习、深度学习等数据密集型应用中，正驱动着对高带宽存储器（HBM）前所未有的需求。随着数据中心和AI处理器越来越依赖这种存储器来处理海量数据并实现低延迟，HBM的出货量预计将同比增长70%。HBM需求的激增预计将重塑DRAM市场，存储器制造商将优先生产HBM，而非传统的DRAM存储器类别。 02 AI推动高容量固态硬盘（SSD）需求及QLC技术的采用 随着AI不断渗透到各行各业，对高容量固态硬盘（SSD）的需求也正在上升。这对于需要大量数据存储和快速检索时间的AI工作负载而言尤其如此。因此，采用QLC NAND技术的产品出货量预期将增加，该技术以更低的成本提供了更高的密度。尽管QLC SSD的写入速度相比其他NAND类型较慢，但由于其成本效益和适用于AI驱动的数据存储需求，QLC SSD将获得更多关注。数据中心NAND比特需求增长预计在2024年激增约70%后，2025年将继续增长超过30%。 03 Capex投资大幅转向DRAM和HBM 受AI应用激增的推动，存储器市场的资本支出（capex）越来越多地流向DRAM，尤其是HBM。随着存储器制造商扩大产能以满足不断增长的需求，DRAM的资本支出预计将同比增长近20%。然而，这一转变导致对NAND生产的投资变得微乎其微，从而在市场上造成了潜在的供应驱动型瓶颈。随着进入2026年，NAND行业的盈利能力持续改善，这可能会重新点燃对该领域的投资。 04 边缘AI开始崭露头角，但要到2026年才会产生重大影响 边缘AI，即将AI处理能力更贴近智能手机和电脑等设备的数据源，预计将在2025年进入市场。然而，这一技术的全面影响要到2026年才会显现。具备真正在设备上运行AI功能的产品预计将在2025年末推出，但销量不太可能立即足够大以影响存储器市场。真正的转变应该发生在2026年，届时边缘AI将更加普及，推动对针对这些新功能量身定制的存储器解决方案的需求。 05 数据中心AI的重点导致传统服务器更新周期延迟 对AI驱动的数据中心的关注导致传统服务器基础设施的更新周期延迟。许多组织正在将资源转向升级其AI能力，而传统服务器则亟需更新。虽然这种延迟在短期内可能是可控的，但到了某个时候，这些服务器将需要更新，这可能会突然引发对DRAM和NAND的需求激增。这一延迟的更新周期一旦发生，可能会导致存储器需求显著上升。 06 潜在颠覆因素：AI发展的突然停滞可能打乱一切 虽然AI是这些市场预期的主要驱动力，但也必须考虑AI发展突然放缓的潜在可能性。无论是由于宏观经济逆风、AI投资回报递减，还是在扩展AI模型时遇到的技术障碍，AI进展的显著放缓都将对存储器市场产生深远的负面影响。这样的停滞很可能导致对HBM、DRAM和高容量SSD的需求急剧下降，打乱这些领域预期的增长和投资模式。因此，虽然存储器市场在2025年有望大幅增长，但它们仍然极易受到AI发展整体趋势的影响。 本文内容来源公众号TechSugar，文章观点不代表本机构立场，如有侵权，请联系我们予以删除。 |
